[1.7.10] [Hi-Tech] Гайд по Applied Energistics 2 — Часть 1: Кристаллы и Ускорители
Одним из обновленных модов, установленных на серверах Hi-Tech 1.7.10, является Applied Energistics 2. Он был сильно изменен, и часто у игроков возникают вопросы по созданию и использованию отдельных его элементов. Представляю вам первую часть гайда по этой модификации.
Имеет довольно обширные функции : от компактного хранения ресурсов, до автоматического крафта и создания необходимых вещей, без участия пользователя; мод предоставляет много возможностей, и ограничивается лишь фантазией игрока в сфере его использования.
В первой части мы рассмотрим способы создания необходимых для крафта базовых ресурсов. Для эффективного использования вам необходим стабильный источник энергии и достаточное количество ресурсов.
Одними из главных составляющих, которые используются практически у всех рецептов, являются кварц и его кристаллы. Всего их есть три типа:
- Изменчивые — являются смесью кварца нижнего мира, заряженного истинного кварца (встречается на высоте от 17 до 69 в обычном мире) и красной пыли.
- Истинные — кристаллы кварца истинного мира, добываются каменной и прочнее киркой из часто встречающейся кварцевой руды. Существует альтернативный, не выгодный рецепт: дробление руды в механизме (кварцевый дробитель, измельчитель, дробилка из IC2).
- Нижнего мира — выпадает из кварцевой руды нижнего мира. Также руду можно переработать в печи, что является очень неэффективным способом получения кварца.
Для всех характерны три состояния: обычное, пыль (измельченное в любом дробящем механизме), чистое (выращенное из семени, об этом чуть позже).
Для создания изменчивого кристалла, необходимо кинуть в воду заряженный кристалл истинного кварца, кварц нижнего мира и красную пыль. Спустя несколько секунд ресурсы превратятся в два изменчивых кристалла.
Заряженный кристалл выпадает из заряженной руды, которая встречается в мире намного реже, и немного отличается внешним видом: он чуть светлее, и периодически вызывает небольшие фиолетовые разряды. Как только найдете хотя бы один — советую сделать изменчивые кристаллы и скрафтить зарядник, так как в дальнейшем заряженные кварцевые кристаллы нужны в большом количестве, а постоянные поиски их в мире занимают очень много времени.
Нажатие ПКМ с кварцем в руке, поместит его внутрь зарядника. Далее его можно запитать любым типом доступной вам энергии, вход находится наверху прибора, либо вовсе использовать деревянную ручку, устанавливается она туда же. После зарядки кварц поменяет текстуру на более светлую, еще одно нажатие ПКМ извлечет его оттуда.
Практически все рецепты с обычными кристаллами заменяются чистыми. Выращиваются они с семя кристалла. Крафт довольно прост, в сетке соединяем пыль и песок; таким образом, из одного обычного кристалла получается два истинных, поэтому их использование намного выгоднее.
Теперь, семя необходимо вырастить. Бросаем его в воду, расти оно будет около часа, прогресс роста всегда можно посмотреть подобрав его, после строчки «этот предмет не будет исчезать» можно узнать, на сколько % кристалл уже вырос.
Ускорители роста кристаллов значительно упростят этот процесс: при использовании 4 штук, чистый получается спустя полторы минуты. Каждый ускоритель потребляет 8 АЕ/тик. Рассмотрим их крафт.
- Ускоритель роста кристаллов: 4 слитка железа, 2 МЭ стеклянных кабеля, 2 кварцевых стекла, 1 изменчивый блок.
- Изменчивый блок: 4 изменчивых кристалла / 8 чистых изменчивых кристаллов.
- Кварцевое стекло: 4 стекла, 5 кварцевой пыли (любой).
- МЭ стеклянный кабель: кварцевое оптическое волокно, 2 (чистых/) изменчивых кристалла.
- Кварцевое оптическое волокно: 6 стекла, 3 кварцевой пыли (любой).
Таким образом, на создание 4 ускорителей нам понадобится:
- 16 слитков железа
- 20 изменчивых кристаллов
- 14 стекла
- 13 кварцевой пыли
Пока у вас нет МЭ контроллера, можно использовать приёмщик энергии. Он превращает другие её типы в АЕ.
Приёмщик энергии: 4 железа, 4 кварцевого стекла, 1 (чистый/) изменчивый кристалл.
Устанавливаем ускорители, и запитываем АЕ энергией. Осталось разлить воду, и можно выращивать чистые кристаллы.
На этом пока все, в следующем гайде рассмотрим создание процессоров и основы МЭ сети для компактного хранения предметов.
Источник
Установки для выращивания монокристаллов
Установки для выращивания монокристаллов.
Описание:
Установки для выращивания монокристаллов представлены целой серией установок .
Установки для выращивания монокристаллов предназначены для выращивания таких монокристаллов как теллурид кадмия, арсенид индия и галия, антимонид индия, германия, кремния, сапфир , алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.
Установка для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия методом движущегося нагревателя:
Кристаллы соединений на основе теллурида кадмия выращиваются в специально изготовленной герметичной ампуле, содержащей исходные материалы. Ампула устанавливается на шток механизма перемещения, который позволяет перемещать ампулу вертикально вверх/вниз на рабочей и ускоренной скоростях вдоль оси теплового узла. В процессе роста ампула не видна. Вся информация о ходе процесса приходит от датчиков. Время одного процесса около 300 часов.
Метод движущегося нагревателя заключается в том, что в ростовую ампулу загружают затравочный кристалл , на него помещают слиток, при расплавлении которого формируется жидкая зона раствора-расплава на основе теллура, в верхней части помещается поликристаллическая заготовка теллурида кадмия. При перемещении ампулы вниз происходит растворение поликристаллической заготовки, диффузия растворенного соединения через жидкую зону раствора-расплава и кристаллизация соединения на затравочном кристалле.
Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия:
| Тепловой узел размещен внутри герметичной камеры | |
| Тепловой узел включает 3 тепловые зоны и обеспечивает возможность выращивания кристаллов диаметром до 80 мм | |
| Температура средней (основной) тепловой зоны, в интервале °С | 700…950 |
| Температура нижней и верхней подпорных тепловых зон, в интервале °С | 200…400 |
| Число регулируемых зон нагрева (всего / резервных) | 4 / 1 |
| Температурный профиль нагревателя обеспечивает градиент температуры в интервале 30…50 град/см в области затравочного кристалла | |
| Нестабильность температуры по оси температурного профиля, °С | 0.5 |
| Пульт управления выполнен с использованием программируемых микроконтроллеров для управления 4-мя зонами нагревателя и возможностью подключения к персональному или промышленному компьютеру | |
| Перемещение штока по вертикали: | |
| – рабочая скорость, мм сут-1 | 5…25 |
| – маршевая скорость, мм мин-1 | 0,115…115 |
| – величина хода, мм | 350 |
| Частота вращения штока, об мин-1 | 1…60 |
| Нестабильность вращения валов эл. дв., не более % | 0,5 |
| Допустимое биение ампулы при вращении – не более 5 мм в радиальном направлении | |
| Возможность откачки рабочего объема (форвакуум) и напуска инертного газа (аргон) | |
| Установочная мощность тепловых зон, Вт | 1000 |
| Общая мощность, кВт | 4 |
| Максимальный ток зоны нагрева, А | 100 |
| Индицируемые параметры: | |
| – сигналы датчиков температуры зон | |
| – скорость перемещения штока | |
| – положение штока | |
| – частота вращения штока | |
| Габаритные размеры, мм (не более) | |
| – Печной агрегат: | |
| – высота | 2565 |
| – ширина | 1000 |
| – глубина | 850 |
| Масса, кг (не более) | |
| – Печной агрегат | 1000 |
| – Стойка управления | 300 |
| Напряжение питающей сети, В | 380/220 |
| Частота питающей сети, Гц | 50 |
| Расход охлаждающей воды, м3 \час | 2,0 |
Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:
Установка предназначена для выращивания монокристаллов арсенидов индия InAs и галлия GaAs под давлением инертного газа с последующим отжигом выращенного кристалла.
Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:
| Максимальные размеры тигля, мм: | |
| – диаметр | 230 |
| – высота | 200 |
| Способ нагрева резистивный | |
| Материал нагревателя | графит |
| Высота нагревателя, мм | 400 |
| Максимальная температура, ˚С на нагревателе | 1400 |
| Точность регулирования температуры, ˚С | 0,1 |
| Среда в камере печи | |
| – предельный вакуум, мм.рт.ст. | 1*10-4 |
| – избыточное давление инертного газа, атм. | 10-20 |
| Устройство перемещения верхнего штока: | |
| – Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин | 0-30 |
| – Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/мин | 0-0,5 |
| – Скорость ускоренного перемещения привода верхнего штока, мм/мин | 100 |
| – Ход штока затравки, мм | 600 |
| Устройство перемещения тигля: | |
| – Величина перемещения тигля, мм | 200 |
| – Скорость вращения привода тигля, об/мин | 0-20 |
| – Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/мин | 0-0,5 |
| – Скорость ускоренного перемещения привода нижнего штока, мм/мин | 70 |
| Тепловой узел установки: | |
| Верхняя зона: | |
| – Температура нагревателя верхней зоны, ˚С | 1200 |
| – Потребляемая мощность нагревателем верхней зоны, кВт | 20 |
| – Точность поддержания температуры | ±0,1 |
| Средняя Зона: | |
| – Температура на нагревателе, ˚С | 1400 |
| – Потребляемая мощность, не более, кВт | 60 |
| – Точность поддержания температуры | ±0,1 |
| Нижняя зона: | |
| – Температура на нагревателе, ˚С | 1200 |
| – Потребляемая мощность, не более, кВт | 20 |
| – Точность поддержания температуры | ±0,1 |
Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия:
Установка предназначена для плавления , синтезирования и выращивания монокристаллов антимонидов индия InSb с последующим отжигом выращенного кристалла.
Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов антимонида индия:
| Максимальные размеры тигля, мм: – диаметр | 135 |
| – высота | 70 |
| Способ нагрева | резистивный |
| Материал нагревателя | графит |
| Высота нагревателя, мм | 180 |
| Максимальная температура, ˚С на нагревателе | 1200 |
| Точность регулирования температуры, ˚С | 0,1 |
| Среда в камере печи:- предельный вакуум, мм.рт.ст. | 1*10-5 |
| – проток инертного или горячего газа, л/час | 1-100 |
| Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин | 0-50 |
| Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/ч | 0-50 |
| Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин | 200 |
| Привод перемещения тигля: | |
| – Величина перемещения привода тигля, мм | 200 |
| – Скорость вращения привода тигля, об/мин | 0-20 |
| Электропитание: | |
| – нагреватель | однофазный |
| – частота, гц | 50 |
Малогабаритная установка выращивания монокристаллов:
Малогабаритная установка предназначена для выращивания монокристаллов германия, кремния, антимонидов галлия и индия в автоматическом режиме (кроме затравления) из тигля Ø102х100 мм и для проведения исследовательских работ.
Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов германия, кремния и пр.:
| Максимальные размеры тигля: | |
| – диаметр, мм | 102 |
| – высота, мм | 100 |
| Способ нагрева | резистивный |
| Материал нагревателя | графит |
| Предельная температура, °С | 1650 |
| Точность регулирования температуры,°С | ± 5 |
| Среда в камере печи – вакуум ( в чистой сухой камере), мм.рт.ст | 5х10 -5 |
| Скорость перемещения верхнего штока, мм/мин: | |
| – рабочая | 0,1-8 |
| – маршевая | 150 |
| Величина перемещения верхнего штока, мм | 400 |
| Частота вращения верхнего штока, об/мин | 1-30 |
| Электропитание: | |
| – нагреватель | однофазный |
| – частота, Гц | 50 |
| Расход охлаждающей воды, м 3 /час | 1 |
| Давление воды, МПа | 0,3 |
Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр. способом Чохральского:
Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.
Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр.:
| Температура плавления | до 2100 О С |
| Диаметр тигля для расплава | до 150 мм (в зависимости от типа выращиваемого кристалла) |
| Масса выращиваемого кристалла | до 4 кг; 8 кг |
| Диапазон измерения датчика веса | до 5 кг; 10кг |
| Чувствительность датчика веса | не менее 0,02 г; 0,04 г |
| Рабочий ход верхнего штока | 550 мм |
| Скорость перемещения верхнего штока: | |
| рабочая | от 0,1 до 120,0 мм/ч |
| ускоренная | от 0,5 до 150,0 мм/мин |
| Скорость вращения верхнего штока | 1-100 об/мин |
| Рабочий ход нижнего штока | 200 мм |
| Тип преобразователя | транзисторный (IGBT технология) |
| Выходная мощность преобразователя | 40 кВт; 100 кВт |
| Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты | от 1 до 100 % от используемой |
| Коэффициент полезного действия | не ниже 93% |
| Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной | ± 0,05% |
| Давление инертного газа в камере | не более 1,5х10 5 Па |
| Предельный форвакуум в ростовой камере при выключенном индукторе | не более 2,6 Па |
| Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты) | не более 3 кВт |
| Давление охлаждающей воды | от 200 кПа до 250 кПа |
выращивание монокристаллов
методы выращивание монокристаллов
установка выращивания монокристаллов
установка выращивания кристаллов
выращивание монокристаллов кремния
выращивание монокристаллов в домашних условиях
ростовые установки для выращивания монокристаллов
ищу работу по выращиванию монокристаллов
методы выращивания объемных монокристаллов
метод чохральского выращивание монокристаллов
выращивание монокристаллов по чохральскому
оборудование выращивания монокристалл сапфир цена
гексагональный диоксид германия выращивание монокристаллов
метод вернейля выращивание монокристаллов
ростовые установки для выращивания монокристаллов методом vgf
установка для выращивания монокристаллов йодистого цезия
земсков виктор сергеевич выращивание монокристаллов в невесомости
Источник